蚀刻机和光刻机区别
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蚀刻相对于光刻来说要容易一些。光刻机把图案印上去，然后蚀刻机根据印上去的图案蚀刻掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。
“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。
“蚀刻”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。蚀刻分为两种，一种是干刻，一种是湿刻（目前主流），顾名思义，湿刻就是过程中有水加入，将上面经过光刻的晶圆与特定的化学溶液反应，去掉不需要的部分，剩下的便是电路结构了，干刻目前还没有实现商业量产，其原理是通过等离子体代替化学溶液，去除不需要的硅圆部分。
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